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單相一體化整流調(diao)壓模塊(kuai)

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單相一體化整流調壓模塊.pdf


單相全隔離一體化橋式全控整流調壓(ya)器模塊

 


㈡ 模塊負載輸出端電流等級及型號如下表:

電(dian)流
15A
35A
50A
70A
90A
120A
150A
型號
LSC-H3P15FYB
H3P35FYB
H3P50FYB
H3P70FYB
H3P90FYB
H3P120FYB
H3P150FYB

 

㈣ 外形尺寸

 

 
㈤ 輸入端子各功能模式接線圖

使(shi)用說(shuo)明
1、獨(du)特的全兼容(rong)輸(shu)(shu)入控(kong)制模式, 0-5Vdc、0-10Vdc、4-20mA、1-5Vdc、0-10mA等自(zi)動方式均能適應,無須專門特別(bie)訂制,也可用(yong)電位(wei)器手動控(kong)制。輸(shu)(shu)入調節范圍寬,輸(shu)(shu)出調節精(jing)度(du)高,抗干(gan)擾能力強。
①、電位器手動控制方式:按圖示,電位器中間端接到模(mo)塊(kuai)(kuai)cont端,電位器另兩(liang)端分別接到模(mo)塊(kuai)(kuai)com端和+5V端。+5V電壓由模(mo)塊(kuai)(kuai)本身內部產生,無須外部提供,只配合手控電位器用(yong),不作(zuo)它用(yong),所選(xuan)用(yong)的電位器阻值(zhi)在(zai)2-10KΩ間。當控制端cont從(cong)0-5Vdc改變(bian)時,直(zhi)流(liu)負載上(shang)的電壓從(cong)0伏到最大(da)值(zhi)線(xian)性(xing)可調,cont端電壓越高,模(mo)塊(kuai)(kuai)輸出越大(da)。
②、0-5Vdc控(kong)(kong)制(zhi)方式:按圖示,可接受(shou)0-5Vdc模擬信(xin)號,控(kong)(kong)制(zhi)輸入正(zheng)極(ji)接cont端(duan)、負(fu)(fu)極(ji)接com端(duan),模塊內部cont端(duan)相(xiang)對com端(duan)的(de)輸入阻抗大(da)(da)于30KΩ。當控(kong)(kong)制(zhi)端(duan)cont從0-5Vdc改變時(shi)(shi),直流負(fu)(fu)載(zai)上的(de)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)從0伏(fu)到(dao)最大(da)(da)值(zhi)線性可調,其(qi)中(zhong)cont在0-0.7Vdc左(zuo)(zuo)右時(shi)(shi)為全關(guan)閉區域,可靠關(guan)斷整(zheng)個(ge)電(dian)(dian)路的(de)輸出;cont在0.7Vdc-4.3Vdc左(zuo)(zuo)右為可調區域,即隨(sui)著控(kong)(kong)制(zhi)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)的(de)增(zeng)大(da)(da),移(yi)相(xiang)角α從180°到(dao)0°線性減小,導通(tong)角增(zeng)大(da)(da),負(fu)(fu)載(zai)上的(de)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)從0伏(fu)增(zeng)大(da)(da)到(dao)最大(da)(da)值(zhi);cont在4.3Vdc-5Vdc左(zuo)(zuo)右時(shi)(shi)為全開(kai)通(tong)區域,負(fu)(fu)載(zai)上的(de)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)為最大(da)(da)值(zhi)(相(xiang)當于電(dian)(dian)網電(dian)(dian)壓(ya)(ya)直接橋式整(zheng)流)。
③、0-10Vdc控制(zhi)方式:按圖示,可接(jie)受0-10Vdc模擬信號,模塊內部0-10Vdc端(duan)(duan)相對com端(duan)(duan)的輸入阻抗大于15KΩ。
④、4-20mA控制(zhi)方式(shi):按(an)圖示(shi),可接受4-20mA模擬(ni)信號,模塊內部4-20mA端相對(dui)com端的(de)(de)輸入(ru)阻抗為(wei)250Ω。當以4-20mA控制(zhi)輸入(ru)時,4-5mA左右(you)時為(wei)全(quan)關(guan)閉區(qu)域(yu),可靠關(guan)斷整個(ge)電路的(de)(de)輸出;5-19mA左右(you)為(wei)可調區(qu)域(yu),即隨(sui)著(zhu)控制(zhi)電流的(de)(de)增(zeng)大,移相角(jiao)α從180°到(dao)0°線性(xing)減小,負載上的(de)(de)電壓從0伏增(zeng)大到(dao)最大值;19-20mA左右(you)時為(wei)全(quan)開通(tong)區(qu)域(yu),輸出最大。
 ⑤、0-10mA控制方式(shi)(shi):按(an)圖示,采用此方式(shi)(shi)時(shi)須在(zai)模塊cont端(duan)與com端(duan)之(zhi)間接一只500Ω、1/2W電阻,當輸(shu)入0mA時(shi)cont端(duan)為0Vdc,當輸(shu)入10mA時(shi)cont端(duan)為5Vdc。
2、各功能(neng)端相對com端必須為正,com端為負極,如極性接反則模(mo)塊主回路輸出端可能(neng)失控。
3、模塊各(ge)功能端(duan)的控(kong)制特性均為正特性,即控(kong)制電壓越(yue)高,模塊強電主回(hui)路輸出電壓越(yue)高。
4、在某一時(shi)刻宜使(shi)(shi)用一種輸(shu)入控制方式(shi),若兩(liang)種以(yi)(yi)上方式(shi)同時(shi)輸(shu)入使(shi)(shi)用,則一般為輸(shu)入信號(hao)較強的一種起主(zhu)要作(zuo)用。模塊(kuai)可以(yi)(yi)手動和自(zi)動兩(liang)用,例(li)如自(zi)動接在4-20mA端,手動接在0-5V端,可通(tong)過(guo)雙擲開關進(jin)行功(gong)能切換。
5、模塊有上電緩啟動功能,當輸(shu)出端并聯大電解電容濾(lv)波時,由于電容兩端電壓是逐(zhu)漸(jian)上升的(de)(de),電容的(de)(de)充電是緩慢進行(xing)的(de)(de),因此不會造成模塊過流而損壞。
6、若模塊內(nei)可(ke)控硅在較小(xiao)導通角(即(ji)主電(dian)(dian)(dian)路(lu)輸(shu)入電(dian)(dian)(dian)壓很高(gao)、輸(shu)出電(dian)(dian)(dian)壓很低)下長時(shi)間輸(shu)出較大電(dian)(dian)(dian)流,可(ke)能導致(zhi)模塊嚴重發(fa)熱。



不建議模(mo)塊(kuai)(kuai)內可(ke)控硅(gui)在較(jiao)小導(dao)通角(即主電(dian)路輸(shu)(shu)入電(dian)壓(ya)(ya)很高(gao)、輸(shu)(shu)出電(dian)壓(ya)(ya)很低(di))下長時間輸(shu)(shu)出較(jiao)大(da)電(dian)流,若負載實際使(shi)用(yong)電(dian)壓(ya)(ya)較(jiao)低(di),可(ke)先用(yong)變壓(ya)(ya)器將電(dian)壓(ya)(ya)降低(di),再用(yong)模(mo)塊(kuai)(kuai)整流調壓(ya)(ya)。

 

此時(shi)可(ke)選用LSC-H1PxxFYBLSC-H0PxxFYB低(di)壓(ya)系列

 


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